HWlEiC Laser представляет передовые решения для лазерной обработки SiC на семинаре по технологиям полупроводников третьего поколения
В мероприятии приняли участие 220 экспертов, исследователей, технических специалистов и представителей отрасли со всех звеньев цепочки создания стоимости карбида кремния (SiC). На семинаре подробно обсуждались технологии выращивания монокристаллов SiC, достижения в области обработки пластин, применение оборудования и будущие тенденции развития отрасли SiC.
Узнать больше













