تستعرض HWlEiC Laser حلول المعالجة المتقدمة بليزر SiC في ندوة تكنولوجيا أشباه الموصلات من الجيل الثالث
حضر الفعالية ما مجموعه 220 خبيرًا وباحثًا ومتخصصًا تقنيًا وممثلًا للقطاع من مختلف مراحل سلسلة قيمة كربيد السيليكون (SiC). وركزت الندوة على مناقشات معمقة تناولت تقنيات نمو البلورات الأحادية لـ SiC، والتطورات في تقنيات معالجة الرقائق، وتطبيقات المعدات، واتجاهات التطور المستقبلية لقطاع SiC.
معرفة المزيد













