Семинар по технологиям выращивания кристаллов SiC и обработки пластин для полупроводников третьего поколения
28 мая 2026 года в отеле Sheraton Hefei Xinzhan Ligang успешно прошел семинар по технологиям выращивания кристаллов SiC и обработки пластин для полупроводников третьего поколения, организованный China Powder Network.
В мероприятии приняли участие 220 экспертов, исследователей, технических специалистов и представителей отрасли со всех звеньев цепочки создания стоимости карбида кремния (SiC). На семинаре подробно обсуждались технологии выращивания монокристаллов SiC, достижения в области обработки пластин, применение оборудования и будущие тенденции развития отрасли SiC.
1. Анализ развития отрасли и конкурентной среды
Заместитель генерального директора HWlEiC Laser Яо Шуан выступил с основным докладом на тему:
«Применение высокоточной лазерной обработки материалов SiC»
В презентации был представлен всесторонний анализ текущего состояния развития и конкурентной среды в отрасли SiC, а также систематически раскрыто стратегическое значение технологий лазерной обработки для развития производства SiC.
Бесконтактная технология лазерного отделения (LLO) эффективно устраняет износ инструмента и предотвращает повреждение пластин из-за механических напряжений, характерное для традиционных методов обработки. Это обеспечивает высококачественное и высокоточное разделение пластин, значительно повышая эффективность обработки и выход годных SiC-пластин.
В то же время технология LLO способствует снижению себестоимости производства SiC-подложек за счёт минимизации потерь материала. Она обладает очевидными преимуществами, включая:
- Высокая эффективность обработки
- Низкие потери материала
- Стабильное качество обработки
Полностью автоматическое оборудование нового поколения для лазерного отделения слоёв SiC
Полностью автоматическое оборудование нового поколения для лазерного отжига полупроводников
—————————————————————————————————————————–
Новое поколение полностью автоматического оборудования для лазерной обработки
В рамках семинара HWlEiC Laser официально представила:
- Полностью автоматическое оборудование нового поколения для лазерного отделения (LLO)
- Полностью автоматические системы лазерного отжига
По сравнению с предыдущим поколением новые системы продемонстрировали значительное повышение технических характеристик, что отражает существенный прогресс в возможностях обработки и интеграции систем.
Что ещё важнее, этот релиз демонстрирует, что HWlEiC Laser разработала возможность поставлять автоматизированные решения для производства SiC, переходя от отдельных единиц оборудования к интегрированным производственным системам.
Технический обмен и взаимодействие с отраслью
В выставочной зоне эксперты и специалисты отрасли из различных сегментов экосистемы SiC — включая производство подложек, эпитаксию, изготовление приборов и корпусирование — активно участвовали в обсуждениях.
Обсуждения были сосредоточены на следующем:
- Технологические преимущества оборудования нового поколения для лазерного отделения слоёв SiC-пластин
- Оптимизация процесса лазерного отжига
- Решения для интеграции в производственную линию и обеспечения совместимости
Обсуждения на месте проведения мероприятия были весьма интерактивными, что отражало высокий интерес отрасли к передовым технологиям лазерной обработки для применений на основе SiC.
Стратегическое продвижение в направлении панполупроводниковой отрасли
Запуск полностью автоматических систем нового поколения для лазерного отделения и лазерного отжига знаменует собой важную веху в стратегическом расширении HWlEiC Laser в сектор полупроводников в целом.
В дальнейшем компания продолжит:
- Увеличить инвестиции в исследования и разработки
- Укреплять сотрудничество между промышленностью, университетами и научно-исследовательскими организациями
- Расширение ключевых технологических возможностей
- Повысить общую конкурентоспособность продукции
HWlEiC Laser по-прежнему стремится предоставлять передовые решения для лазерной обработки, способствующие непрерывному развитию производства полупроводников.
10:58 
