11:00 Advanced SiC laser processing solutions were showcased by HWLEIC Laser at the third-generation semiconductor technology seminar, highlighting new developments in SiC wafer processing and laser applications.
On May 28, 2026, the Third-Generation Semiconductor SiC Crystal Growth and Wafer Processing Technology Seminar, hosted by China Powder Network, was successfully held at the Sheraton Hefei Xinzhan Ligang Hotel.
탄화규소(SiC) 밸류체인 전반에 걸쳐 총 220명의 전문가, 연구원, 기술 전문가 및 업계 대표가 행사에 참석했습니다. 이번 세미나에서는 SiC 단결정 성장 기술, 웨이퍼 가공 기술의 발전, 장비 응용 분야 및 SiC 산업의 향후 발전 동향을 다루는 심도 있는 논의가 진행되었습니다.
HWlEiC Laser의 야오솽 부총경리가 다음과 같은 제목으로 기조 발표를 진행했습니다:
“SiC 소재의 레이저 정밀 가공 응용”
이 발표에서는 SiC 산업의 현재 발전 현황과 경쟁 구도를 종합적으로 분석하고, SiC 제조 발전을 위한 레이저 가공 기술의 전략적 중요성을 체계적으로 설명했습니다.
비접촉식 레이저 리프트오프(LLO) 기술 기존 가공 방식에서 흔히 발생하는 공구 마모와 기계적 응력으로 인한 웨이퍼 손상을 효과적으로 제거합니다. 이를 통해 고품질·고정밀 웨이퍼 분리가 가능해져 SiC 웨이퍼의 가공 효율과 수율을 크게 향상시킵니다.
동시에 LLO 기술은 재료 손실을 최소화하여 SiC 기판 제조 비용을 절감하는 데 기여합니다. 이 기술은 다음과 같은 뚜렷한 장점을 보여줍니다:
차세대 완전 자동 SiC 레이저 리프트오프 장비
차세대 전자동 반도체 레이저 어닐링 장비
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이번 세미나에서 HWlEiC Laser는 다음 장비를 공식 출시했습니다:
이전 세대와 비교해 새로운 시스템은 기술 성능이 크게 향상되었으며, 공정 역량과 시스템 통합의 상당한 발전을 보여줍니다.
더욱 중요한 점은 이번 출시를 통해 HWlEiC Laser가 다음을 제공할 수 있는 역량을 갖추었음을 입증했다는 것입니다 SiC 자동화 생산 라인 솔루션을 통해 단독 장비를 넘어 통합 제조 시스템으로 나아갑니다.
전시 구역에서는 기판 제조, 에피택시, 소자 제조, 패키징 등 SiC 생태계의 다양한 분야에서 온 전문가와 업계 관계자들이 활발한 논의를 진행했습니다.
교류는 다음에 중점을 두고 진행되었습니다:
현장 논의는 매우 활발하게 이루어졌으며, SiC 응용 분야를 위한 첨단 레이저 가공 기술에 대한 업계의 높은 관심을 보여주었습니다.
차세대 전자동 레이저 리프트오프(LLO) 및 레이저 어닐링 시스템의 출시는 HWlEiC Laser가 범반도체 분야로 전략적으로 확장하는 데 있어 중요한 이정표가 되었습니다.
향후 회사는 다음을 지속적으로 추진할 예정입니다:
HWlEiC Laser는 반도체 제조의 지속적인 발전을 지원하는 첨단 레이저 가공 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
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