Seminar Teknologi Pertumbuhan Kristal dan Pemrosesan Wafer SiC Semikonduktor Generasi Ketiga
Pada 28 Mei 2026, Seminar Teknologi Pertumbuhan Kristal SiC dan Pemrosesan Wafer Semikonduktor Generasi Ketiga yang diselenggarakan oleh China Powder Network berhasil diadakan di Sheraton Hefei Xinzhan Ligang Hotel.
Sebanyak 220 pakar, peneliti, tenaga profesional teknis, dan perwakilan industri dari seluruh rantai nilai silikon karbida (SiC) menghadiri acara tersebut. Seminar ini berfokus pada diskusi mendalam yang mencakup teknologi pertumbuhan kristal tunggal SiC, kemajuan teknik pemrosesan wafer, aplikasi peralatan, serta tren perkembangan industri SiC di masa depan.
1. Analisis Perkembangan Industri dan Lanskap Persaingan
Bapak Yao Shuang, Wakil Manajer Umum HWlEiC Laser, menyampaikan presentasi utama berjudul:
“Penerapan Pemrosesan Presisi Laser pada Material SiC”
Presentasi tersebut memberikan analisis komprehensif mengenai status perkembangan terkini dan lanskap persaingan industri SiC, sekaligus menguraikan secara sistematis signifikansi strategis teknologi pemrosesan laser dalam memajukan manufaktur SiC.
Teknologi Laser Lift-Off (LLO) nonkontak secara efektif menghilangkan keausan alat dan mencegah kerusakan wafer akibat tekanan mekanis, yang merupakan masalah umum dalam metode pemrosesan konvensional. Hal ini memungkinkan pemisahan wafer berkualitas tinggi dan berpresisi tinggi, sehingga secara signifikan meningkatkan efisiensi pemrosesan maupun hasil produksi wafer SiC.
Pada saat yang sama, teknologi LLO membantu mengurangi biaya produksi substrat SiC dengan meminimalkan kehilangan material. Teknologi ini menunjukkan keunggulan yang jelas, termasuk:
- Efisiensi pemrosesan tinggi
- Kehilangan material yang rendah
- Kualitas pemrosesan yang stabil
Peralatan Laser Lift-Off SiC Generasi Berikutnya yang Sepenuhnya Otomatis
Peralatan Anil Laser Semikonduktor Otomatis Penuh Generasi Berikutnya
—————————————————————————————————————————–
Peralatan Pemrosesan Laser Otomatis Penuh Generasi Baru
Dalam seminar tersebut, HWlEiC Laser secara resmi meluncurkan:
- Peralatan Laser Lift-Off (LLO) Otomatis Penuh Generasi Baru
- Sistem anil laser otomatis penuh
Dibandingkan dengan generasi sebelumnya, sistem baru ini telah mencapai peningkatan signifikan dalam kinerja teknis, yang mencerminkan kemajuan besar dalam kemampuan proses dan integrasi sistem.
Yang lebih penting, rilis ini menunjukkan bahwa HWlEiC Laser telah mengembangkan kemampuan untuk menyediakan solusi lini produksi SiC otomatis, beralih dari peralatan mandiri menuju sistem manufaktur terintegrasi.
Pertukaran Teknis dan Keterlibatan Industri
Di area pameran, para ahli dan profesional industri dari berbagai segmen ekosistem SiC—termasuk manufaktur substrat, epitaksi, fabrikasi perangkat, dan pengemasan—terlibat dalam diskusi aktif.
Pertukaran informasi berfokus pada:
- Keunggulan teknis peralatan Laser Lift-Off wafer SiC generasi berikutnya
- Optimalisasi proses anil laser
- Solusi integrasi dan kompatibilitas lini produksi
Diskusi di lokasi berlangsung sangat interaktif, mencerminkan tingginya minat industri terhadap teknologi pemrosesan laser canggih untuk aplikasi SiC.
Kemajuan Strategis Menuju Bidang Pan-Semikonduktor
Peluncuran sistem Laser Lift-Off dan laser annealing generasi baru yang sepenuhnya otomatis menandai tonggak penting dalam ekspansi strategis HWlEiC Laser ke sektor pan-semikonduktor.
Ke depannya, perusahaan akan terus:
- Meningkatkan investasi dalam penelitian dan pengembangan
- Memperkuat kolaborasi industri–universitas–penelitian
- Meningkatkan kapabilitas teknologi inti
- Meningkatkan daya saing produk secara keseluruhan
HWlEiC Laser tetap berkomitmen untuk menghadirkan solusi pemrosesan laser canggih yang mendukung evolusi berkelanjutan manufaktur semikonduktor.
11:17 
