Technologieseminar zur SiC-Kristallzüchtung und Waferbearbeitung für Halbleiter der dritten Generation
Am 28. Mai 2026 fand im Sheraton Hefei Xinzhan Ligang Hotel erfolgreich das von China Powder Network veranstaltete Technologieseminar zur SiC-Kristallzüchtung und Waferbearbeitung für Halbleiter der dritten Generation statt.
Insgesamt nahmen 220 Experten, Forschende, Fachkräfte und Branchenvertreter aus der gesamten Wertschöpfungskette für Siliziumkarbid (SiC) an der Veranstaltung teil. Im Mittelpunkt des Seminars standen vertiefende Diskussionen über Technologien zur Züchtung von SiC-Einkristallen, Fortschritte bei der Waferbearbeitung, Anlagenanwendungen und zukünftige Entwicklungstrends der SiC-Branche.
1. Analyse der Branchenentwicklung und Wettbewerbssituation
Herr Yao Shuang, stellvertretender Generaldirektor von HWlEiC Laser, hielt einen Vortrag mit dem Titel:
„Anwendung der präzisen Laserbearbeitung bei SiC-Materialien“
Der Vortrag bot eine umfassende Analyse des aktuellen Entwicklungsstands und der Wettbewerbssituation in der SiC-Branche und erläuterte systematisch die strategische Bedeutung von Laserbearbeitungstechnologien für die Weiterentwicklung der SiC-Fertigung.
Kontaktlose Laser-Lift-off-Technologie (LLO) Dadurch werden Werkzeugverschleiß wirksam beseitigt und durch mechanische Belastungen verursachte Waferschäden vermieden, die bei herkömmlichen Bearbeitungsverfahren häufig auftreten. Dies ermöglicht eine hochwertige und hochpräzise Wafertrennung und verbessert sowohl die Bearbeitungseffizienz als auch die Ausbeute von SiC-Wafern deutlich.
Gleichzeitig trägt die LLO-Technologie dazu bei, die Herstellungskosten von SiC-Substraten zu senken, indem sie den Materialverlust minimiert. Sie bietet klare Vorteile, darunter:
- Hohe Bearbeitungseffizienz
- Geringer Materialverlust
- Stabile Verarbeitungsqualität
Vollautomatische SiC-Laser-Lift-Off-Anlage der nächsten Generation
Vollautomatische Halbleiter-Laser-Annealing-Anlage der nächsten Generation
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Vollautomatische Laserbearbeitungsanlagen der neuen Generation
Während des Seminars stellte HWlEiC Laser offiziell folgende Produkte vor:
- Vollautomatische Laser-Lift-off-Anlage (LLO) der neuen Generation
- Vollautomatische Laser-Annealing-Systeme
Im Vergleich zur vorherigen Generation bieten die neuen Systeme eine deutlich verbesserte technische Leistung. Dies spiegelt erhebliche Fortschritte bei den Prozessfähigkeiten und der Systemintegration wider.
Noch wichtiger ist, dass diese Veröffentlichung zeigt, dass HWlEiC Laser die Fähigkeit entwickelt hat, Automatisierte SiC-Produktionslinienlösungen, wobei der Schwerpunkt von Einzelanlagen auf integrierte Fertigungssysteme verlagert wird.
Technischer Austausch und Branchenengagement
Im Ausstellungsbereich führten Fachleute aus verschiedenen Bereichen des SiC-Ökosystems – darunter Substratherstellung, Epitaxie, Bauelementfertigung und Gehäusetechnik – einen regen Austausch.
Der Austausch konzentrierte sich auf:
- Technische Vorteile von Laser-Lift-off-Anlagen der nächsten Generation für SiC-Wafer
- Optimierung des Laser-Annealing-Prozesses
- Lösungen für die Integration und Kompatibilität von Produktionslinien
Die Diskussionen vor Ort waren äußerst interaktiv und spiegelten das starke Interesse der Industrie an fortschrittlichen Laserbearbeitungstechnologien für SiC-Anwendungen wider.
Strategischer Fortschritt auf dem Weg in den gesamten Halbleiterbereich
Die Einführung der vollautomatischen Laser-Lift-off- und Laser-Annealing-Systeme der neuen Generation stellt einen bedeutenden Meilenstein in der strategischen Expansion von HWlEiC Laser in den panhalbleiterbasierten Sektor dar.
Mit Blick auf die Zukunft wird das Unternehmen weiterhin:
- Investitionen in Forschung und Entwicklung erhöhen
- Zusammenarbeit zwischen Industrie, Hochschulen und Forschung stärken
- Stärkung der technologischen Kernkompetenzen
- Die Wettbewerbsfähigkeit der Produkte insgesamt verbessern
HWlEiC Laser setzt sich weiterhin dafür ein, fortschrittliche Lösungen für die Laserbearbeitung bereitzustellen, die die kontinuierliche Weiterentwicklung der Halbleiterfertigung unterstützen.
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