تستعرض HWlEiC Laser حلول المعالجة المتقدمة بليزر SiC في ندوة تكنولوجيا أشباه الموصلات من الجيل الثالث

ندوة حول تكنولوجيا نمو بلورات SiC ومعالجة الرقاقات لأشباه الموصلات من الجيل الثالث

استعرضت HWLEIC Laser حلولًا متقدمة لمعالجة SiC بالليزر في ندوة تكنولوجيا أشباه الموصلات من الجيل الثالث، مسلطةً الضوء على التطورات الجديدة في معالجة رقائق SiC وتطبيقات الليزر.

في 28 مايو 2026، أُقيمت بنجاح ندوة تكنولوجيا نمو بلورات SiC ومعالجة الرقائق لأشباه الموصلات من الجيل الثالث، التي استضافتها شبكة مسحوق الصين، في فندق شيراتون خفي شينتشان ليغانغ.

حضر الفعالية ما مجموعه 220 خبيرًا وباحثًا ومتخصصًا تقنيًا وممثلًا للقطاع من مختلف مراحل سلسلة قيمة كربيد السيليكون (SiC). وركزت الندوة على مناقشات معمقة تناولت تقنيات نمو البلورات الأحادية لـ SiC، والتطورات في تقنيات معالجة الرقائق، وتطبيقات المعدات، واتجاهات التطور المستقبلية لقطاع SiC.

1. تحليل تطور القطاع والمشهد التنافسي

قدّم السيد ياو شوانغ، نائب المدير العام لشركة HWlEiC Laser، عرضًا رئيسيًا بعنوان:

«تطبيق المعالجة الدقيقة بالليزر في مواد SiC»

قدّم العرض تحليلًا شاملًا للوضع الحالي لتطور صناعة SiC والمشهد التنافسي فيها، مع توضيح منهجي للأهمية الاستراتيجية لتقنيات المعالجة بالليزر في تطوير تصنيع SiC.

تقنية الفصل بالليزر (LLO) من دون تلامس يقضي ذلك بفعالية على تآكل الأدوات ويتجنب تلف الرقائق الناتج عن الإجهاد الميكانيكي، وهما من المشكلات الشائعة في أساليب المعالجة التقليدية. ويتيح ذلك فصل الرقائق بجودة ودقة عاليتين، مما يحسن بدرجة كبيرة كفاءة المعالجة ومعدل إنتاج رقائق SiC.

في الوقت نفسه، تسهم تقنية LLO في خفض تكلفة تصنيع ركائز SiC من خلال تقليل فقدان المواد. وتتميز بمزايا واضحة، تشمل:

• كفاءة معالجة عالية
• فقدان منخفض للمواد
• جودة معالجة مستقرة

معدات الجيل الجديد للفصل بالليزر المؤتمت بالكامل لمادة SiC

معدات تلدين أشباه الموصلات بالليزر أوتوماتيكية بالكامل من الجيل التالي

—————————————————————————————————————————–

معدات معالجة بالليزر أوتوماتيكية بالكامل من الجيل الجديد

خلال الندوة، أطلقت HWlEiC Laser رسميًا:

• معدات الفصل بالليزر (LLO) أوتوماتيكية بالكامل من الجيل الجديد
• أنظمة تلدين بالليزر أوتوماتيكية بالكامل

وبالمقارنة مع الجيل السابق، حققت الأنظمة الجديدة تحسينات كبيرة في الأداء التقني، مما يعكس تقدمًا ملحوظًا في قدرات المعالجة وتكامل الأنظمة.

والأهم من ذلك، يبرهن هذا الإطلاق على أن شركة HWlEiC Laser قد طوّرت القدرة على تقديم حلول خطوط الإنتاج المؤتمتة لمادة SiC، متجاوزةً المعدات المستقلة نحو أنظمة التصنيع المتكاملة.

التبادل التقني والتفاعل مع القطاع

في منطقة المعرض، شارك الخبراء والمتخصصون في القطاع من مختلف قطاعات منظومة SiC — بما في ذلك تصنيع الركائز، والتنمية الفوقية، وتصنيع الأجهزة، والتغليف — في مناقشات نشطة.

تركزت المناقشات على:

• المزايا التقنية لمعدات الفصل بالليزر لرقائق SiC من الجيل التالي
• تحسين عملية التلدين بالليزر
• حلول تكامل خطوط الإنتاج والتوافق

كانت المناقشات في الموقع تفاعلية للغاية، مما يعكس الاهتمام الكبير في القطاع بتقنيات المعالجة المتقدمة بالليزر لتطبيقات SiC.

التقدم الاستراتيجي نحو قطاع أشباه الموصلات الشامل

يمثل إطلاق أنظمة الفصل بالليزر والتلدين بالليزر الأوتوماتيكية بالكامل من الجيل الجديد محطة مهمة في التوسع الاستراتيجي لشركة HWlEiC Laser في قطاع أشباه الموصلات الشامل.

وبالنظر إلى المستقبل، ستواصل الشركة:

• زيادة الاستثمار في البحث والتطوير
• تعزيز التعاون بين الصناعة والجامعات ومؤسسات البحث
• تعزيز القدرات التكنولوجية الأساسية
• تحسين القدرة التنافسية الشاملة للمنتجات

تظل HWlEiC Laser ملتزمة بتقديم حلول متقدمة للمعالجة بالليزر تدعم التطور المستمر لصناعة أشباه الموصلات.